IPT020N10N5ATMA1
| Номер детали производителя | IPT020N10N5ATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF |
| Упаковка | PG-HSOF-8-1 |
| В наличии | 23760 pcs |
| Техническая спецификация | Mult Dev A/T Chgs 11/Jan/2023 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $2.501 | $2.26 | $1.871 | $1.63 | $1.419 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 23760 Infineon Technologies IPT020N10N5ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.8V @ 202µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-HSOF-8-1 |
| Серии | OptiMOS™5 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 150A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 273W (Tc) |
| Упаковка / | 8-PowerSFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 11000 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 152 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 31A (Ta), 260A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPT020 |
Рекомендуемые продукты
-
IPT022N10NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPT054N15N5ATMA1
TRENCH >=100V PG-HSOF-8Infineon Technologies -
IPT019N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOFInfineon Technologies -
IPT020N10N3ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOFInfineon Technologies -
IPT013N08NM5LF
SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80VInfineon Technologies -
IPT015N10NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPT043N15N5ATMA1
MV POWER MOSInfineon Technologies -
IPT029N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8Infineon Technologies -
IPT030N12N3GATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPT044N15N5ATMA1
TRENCH >=100V PG-HSOF-8Infineon Technologies -
IPT017N12NM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120VInfineon Technologies -
IPT039N15N5XTMA1
TRENCH >=100V PG-HSOF-8Infineon Technologies -
IPT026N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOFInfineon Technologies -
IPT017N10NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPT015N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOFInfineon Technologies -
IPT039N15N5ATMA1
OPTIMOS 5 POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPT014N10N5ATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPT014N08NM5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8Infineon Technologies -
IPT013N08NM5LFATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8Infineon Technologies -
IPT059N15N3ATMA1
MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOFInfineon Technologies