Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPS80R1K4P7AKMA1
Infineon Technologies

IPS80R1K4P7AKMA1

Номер детали производителя IPS80R1K4P7AKMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Упаковка PG-TO251-3-11
В наличии 222788 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Supplier Chg 19/Jan/2022
Справочная цена (В долларах США)
1500
$0.204
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 222788 Infineon Technologies IPS80R1K4P7AKMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 700µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO251-3-11
Серии CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 32W (Tc)
Упаковка / TO-251-3 Stub Leads, IPak
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4A (Tc)
Базовый номер продукта IPS80R1

Рекомендуемые продукты

IPS80R1K4P7AKMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация