Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPS060N03LGBKMA1
Infineon Technologies

IPS060N03LGBKMA1

Номер детали производителя IPS060N03LGBKMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3
Упаковка PG-TO251-3-11
В наличии 4603 pcs
Техническая спецификация Part Number Guide
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4603 Infineon Technologies IPS060N03LGBKMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO251-3-11
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 56W (Tc)
Упаковка / TO-251-3 Stub Leads, IPak
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2400 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 50A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IPS060N03LGBKMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IPS060N03LGBKMA1

Связанные детали для IPS060N03LGBKMA1