Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPP90R1K0C3XK

Номер детали производителя	IPP90R1K0C3XK
производитель	Infineon Technologies
Подробное описание	MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3
Упаковка	PG-TO220-3-1
В наличии	6321 pcs
Техническая спецификация	IPP90R1K0C3

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6321 Infineon Technologies IPP90R1K0C3XK в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	3.5V @ 370µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	PG-TO220-3-1
Серии	CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1Ohm @ 3.3A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	89W (Tc)
Упаковка /	TO-220-3
Упаковка	Tube
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	850 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	34 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	900 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	5.7A (Tc)
Базовый номер продукта	IPP90R