IPP65R190E6XKSA1
| Номер детали производителя | IPP65R190E6XKSA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3 |
| Упаковка | PG-TO220-3 |
| В наличии | 42577 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Assembly Chgs 2/Feb/2021 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.615 | $1.45 | $1.188 | $1.011 | $0.853 | $0.81 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 42577 Infineon Technologies IPP65R190E6XKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 730µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO220-3 |
| Серии | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 151W (Tc) |
| Упаковка / | TO-220-3 |
| Упаковка | Tube |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Through Hole |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1620 pF @ 100 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 73 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 650 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 20.2A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPP65R190 |
Рекомендуемые продукты
-
IPP65R150CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3Infineon Technologies -
IPP65R280E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3Infineon Technologies -
IPP65R155CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEWInfineon Technologies -
IPP65R280C6
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6Infineon Technologies -
IPP65R380C6
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Infineon Technologies -
IPP65R190CFDAAKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3Infineon Technologies -
IPP65R190C7FKSA1
MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3Infineon Technologies -
IPP65R190C7
IPP65R190 - 650V AND 700V COOLMOInfineon Technologies -
IPP65R190CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEWInfineon Technologies -
IPP65R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3Infineon Technologies -
IPP65R280C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3Infineon Technologies -
IPP65R310CFDAAKSA1
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3Infineon Technologies -
IPP65R280E6
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPP65R310CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3Infineon Technologies -
IPP65R190CFD7AAKSA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3Infineon Technologies -
IPP65R190CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3Infineon Technologies -
IPP65R190CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3Infineon Technologies -
IPP65R225C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3Infineon Technologies -
IPP65R225C7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Infineon Technologies -
IPP65R310CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3Infineon Technologies