Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPP60R299CPXKSA1
IPP60R299CPXKSA1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPP60R299CPXKSA1

Номер детали производителя IPP60R299CPXKSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Упаковка PG-TO220-3
В наличии 57134 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Assembly Chgs 2/Feb/2021Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.286 $1.156 $0.947 $0.806 $0.68 $0.646 $0.622
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 57134 Infineon Technologies IPP60R299CPXKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 440µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO220-3
Серии CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 96W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1100 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11A (Tc)
Базовый номер продукта IPP60R299

Рекомендуемые продукты

IPP60R299CPXKSA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация