Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPP126N10N3G
Infineon Technologies

IPP126N10N3G

Номер детали производителя IPP126N10N3G
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
Упаковка PG-TO220-3
В наличии 6653 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6653 Infineon Technologies IPP126N10N3G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 46µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.6mOhm @ 46A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 94W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2500 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 58A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IPP126N10N3G DataSheet PDF

Ключевые слова для IPP126N10N3G

Связанные детали для IPP126N10N3G