Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPP04CN10NGXKSA1
Infineon Technologies

IPP04CN10NGXKSA1

Номер детали производителя IPP04CN10NGXKSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MV POWER MOS
Упаковка PG-TO220-3
В наличии 30742 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev A/T 26/Apr/2021
Справочная цена (В долларах США)
500
$1.395
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 30742 Infineon Technologies IPP04CN10NGXKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO220-3
Серии OptiMOS™ 2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 100A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 300W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 13800 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 210 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 100A (Tc)
Базовый номер продукта IPP04CN10

Рекомендуемые продукты

IPP04CN10NGXKSA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IPP04CN10NGXKSA1

Связанные детали для IPP04CN10NGXKSA1