Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPP023NE7N3G

Номер детали производителя	IPP023NE7N3G
производитель	Infineon Technologies
Подробное описание	MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Упаковка	PG-TO220-3
В наличии	3902 pcs
Техническая спецификация	IPI, IPP023NE7N3 G

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 3902 Infineon Technologies IPP023NE7N3G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	3.8V @ 273µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	PG-TO220-3
Серии	OptiMOS™ 3
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 100A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	300W (Tc)
Упаковка /	TO-220-3
Упаковка	Tube
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	14400 pF @ 37.5 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	206 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	75 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	120A (Tc)
Базовый номер продукта	IPP023N