Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPI80N06S2L11AKSA1
Infineon Technologies

IPI80N06S2L11AKSA1

Номер детали производителя IPI80N06S2L11AKSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Упаковка PG-TO262-3
В наличии 6408 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6408 Infineon Technologies IPI80N06S2L11AKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 93µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO262-3
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 60A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 158W (Tc)
Упаковка / TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2075 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 55 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 80A (Tc)
Базовый номер продукта IPI80N

Рекомендуемые продукты

IPI80N06S2L11AKSA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IPI80N06S2L11AKSA1

Связанные детали для IPI80N06S2L11AKSA1