Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPI600N25N3G
Infineon Technologies

IPI600N25N3G

Номер детали производителя IPI600N25N3G
производитель Infineon Technologies
Подробное описание IPI600N25 - 12V-300V N-CHANNEL P
Упаковка PG-TO262-3-1
В наличии 6133 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6133 Infineon Technologies IPI600N25N3G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 90µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO262-3-1
Серии OptiMOS™ 3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 136W (Tc)
Упаковка / TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2350 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 250 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 25A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IPI600N25N3G DataSheet PDF

Ключевые слова для IPI600N25N3G

Связанные детали для IPI600N25N3G