IPD60R2K1CEBTMA1
| Номер детали производителя | IPD60R2K1CEBTMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3 |
| Упаковка | PG-TO252-3 |
| В наличии | 5387 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideCover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Cover Tape Width Update 17/Jun/2015Mult Devices EOL 31/Aug/2017Assembly/MSL Chg 2/Oct/2015 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5387 Infineon Technologies IPD60R2K1CEBTMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3 |
| Серии | CoolMOS™ CE |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1Ohm @ 760mA, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 22W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 140 pF @ 100 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 6.7 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 2.3A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPD60R |
Рекомендуемые продукты
-
IPD60R380E6BTMA1
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInternational Rectifier -
IPD60R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R280P7SE8228AUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R380P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R360P7SE8228AUMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R2K1CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R280CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R360P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R380E6ATMA2
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R380C6
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R210PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R360P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R2K0C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R380C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R280P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R2K0C6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R280PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R360PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R360CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3-313Infineon Technologies