Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPC50N04S55R8ATMA1
Infineon Technologies

IPC50N04S55R8ATMA1

Номер детали производителя IPC50N04S55R8ATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Упаковка PG-TDSON-8-33
В наличии 200729 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018IPCyyN04S5 Assembly Chgs 23/Oct/2018
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.395 $0.354 $0.276 $0.228 $0.18 $0.168
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 200729 Infineon Technologies IPC50N04S55R8ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.4V @ 13µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TDSON-8-33
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 42W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1090 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 50A (Tc)
Базовый номер продукта IPC50N

Рекомендуемые продукты

IPC50N04S55R8ATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация