Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPAN60R650CEXKSA1
Infineon Technologies

IPAN60R650CEXKSA1

Номер детали производителя IPAN60R650CEXKSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220
Упаковка PG-TO220-FP
В наличии 184727 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Site Chgs 13/Oct/2020CoolMOS DataSheet Update 11/Jan/2017
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.475 $0.424 $0.331 $0.273 $0.216 $0.201 $0.191 $0.184
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 184727 Infineon Technologies IPAN60R650CEXKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO220-FP
Серии CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 2.4A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 28W (Tc)
Упаковка / TO-220-3 Full Pack
Упаковка Tube
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 440 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 20.5 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 9.9A (Tc)
Базовый номер продукта IPAN60

Рекомендуемые продукты

IPAN60R650CEXKSA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация