Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IMT65R107M1HXUMA1
Infineon Technologies

IMT65R107M1HXUMA1

Номер детали производителя IMT65R107M1HXUMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание SILICON CARBIDE MOSFET
Упаковка PG-HSOF-8-1
В наличии 21784 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$3.79 $3.425 $2.836 $2.469 $2.151
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 21784 Infineon Technologies IMT65R107M1HXUMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id -
Vgs (макс.) -
Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Упаковка устройства PG-HSOF-8-1
Серии CoolSiC™
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Рассеиваемая мощность (макс) -
Упаковка / 8-PowerSFN
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -
Тип установки Surface Mount
Тип FET -
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C -

Рекомендуемые продукты

IMT65R107M1HXUMA1 DataSheet PDF

Ключевые слова для IMT65R107M1HXUMA1

Связанные детали для IMT65R107M1HXUMA1