Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IAUA200N04S5N010ATMA1
Infineon Technologies

IAUA200N04S5N010ATMA1

Номер детали производителя IAUA200N04S5N010ATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET_(20V 40V)
Упаковка PG-HSOF-5-1
В наличии 6101 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6101 Infineon Technologies IAUA200N04S5N010ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.4V @ 100µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-HSOF-5-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ 100A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 167W (Tc)
Упаковка / 5-PowerSFN
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 7650 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 132 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 200A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IAUA200N04S5N010ATMA1 DataSheet PDF

Ключевые слова для IAUA200N04S5N010ATMA1

Связанные детали для IAUA200N04S5N010ATMA1