Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > FZ800R12KE3HOSA1
Infineon Technologies

FZ800R12KE3HOSA1

Номер детали производителя FZ800R12KE3HOSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание IGBT MOD 1200V 800A 3550W
Упаковка Module
В наличии 5579 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideDCB Substrate Supplier Add 30/May/2017FZ800R12KE3 EOL 26/Aug/2022
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5579 Infineon Technologies FZ800R12KE3HOSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.15V @ 15V, 800A
Поставщик Упаковка устройства Module
Серии C
Мощность - Макс 3550 W
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C (TJ)
NTC термистора No
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 56 nF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT Trench Field Stop
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 5 mA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 800 A
конфигурация Single
Базовый номер продукта FZ800R12

Рекомендуемые продукты

FZ800R12KE3HOSA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация