Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > FS13MR12W2M1HB70BPSA1
Infineon Technologies

FS13MR12W2M1HB70BPSA1

Номер детали производителя FS13MR12W2M1HB70BPSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание LOW POWER EASY
Упаковка Tray
В наличии 331 pcs
Техническая спецификация FS13MR12W2M1H_B70
Справочная цена (В долларах США)
1 15 30
$137.205 $131.408 $128.509
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 331 Infineon Technologies FS13MR12W2M1HB70BPSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5.15V @ 28mA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства -
Серии CoolSiC™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7mOhm @ 62.5A, 18V
Упаковка / -
Упаковка Tray
Рабочая Температура -
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки -
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 6050pF @ 800V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 200nC @ 18V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 62.5A (Tc)
конфигурация 6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Рекомендуемые продукты

FS13MR12W2M1HB70BPSA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация