Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > FP35R12KT4B15BOSA1
Infineon Technologies

FP35R12KT4B15BOSA1

Номер детали производителя FP35R12KT4B15BOSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание IGBT MOD 1200V 35A 210W
Упаковка Module
В наличии 5526 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Wafer Site 8/Jun/2021
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5526 Infineon Technologies FP35R12KT4B15BOSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.15V @ 15V, 35A
Поставщик Упаковка устройства Module
Серии EconoPIM™ 2
Мощность - Макс 210 W
Упаковка / Module
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C
NTC термистора Yes
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 2 nF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT Trench Field Stop
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 1 mA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 35 A
конфигурация Three Phase Inverter
Базовый номер продукта FP35R12

Рекомендуемые продукты

FP35R12KT4B15BOSA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация