Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > FF4MR12W2M1HB11BPSA1
Infineon Technologies

FF4MR12W2M1HB11BPSA1

Номер детали производителя FF4MR12W2M1HB11BPSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание EASYDUAL MODULE WITH COOLSIC TRE
Упаковка Module
В наличии 492 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 15 30
$95.701 $91.657 $89.635
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 492 Infineon Technologies FF4MR12W2M1HB11BPSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5.15V @ 80mA
Технологии Silicon Carbide (SiC)
Поставщик Упаковка устройства Module
Серии CoolSiC™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 200A, 18V
Мощность - Макс 20mW
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 17600pF @ 800V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 594nC @ 18V
FET Характеристика Silicon Carbide (SiC)
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 170A (Tj)
конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
Базовый номер продукта FF4MR12

Рекомендуемые продукты

FF4MR12W2M1HB11BPSA1 DataSheet PDF

Ключевые слова для FF4MR12W2M1HB11BPSA1

Связанные детали для FF4MR12W2M1HB11BPSA1