Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > FF150R12RT4HOSA1
Infineon Technologies

FF150R12RT4HOSA1

Номер детали производителя FF150R12RT4HOSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание IGBT MOD 1200V 150A 790W
Упаковка Module
В наличии 1364 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Plating 16/Dec/2022Mult Dev Wafer Chgs 3/Dec/2021
Справочная цена (В долларах США)
1 10 30 80
$29.064 $27.566 $26.815 $24.94
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 1364 Infineon Technologies FF150R12RT4HOSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.15V @ 15V, 150A
Поставщик Упаковка устройства Module
Серии C
Мощность - Макс 790 W
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
NTC термистора No
Тип установки Surface Mount
вход Standard
Тип IGBT Trench Field Stop
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 1 mA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 150 A
конфигурация Half Bridge
Базовый номер продукта FF150R12R

Рекомендуемые продукты

FF150R12RT4HOSA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация