Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > FD200R12KE3PHOSA1
Infineon Technologies

FD200R12KE3PHOSA1

Номер детали производителя FD200R12KE3PHOSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание IGBT MODULE 1200V 200A
Упаковка Module
В наличии 502 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
8
$70.03
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 502 Infineon Technologies FD200R12KE3PHOSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.15V @ 15V, 200A
Поставщик Упаковка устройства Module
Серии C
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C
NTC термистора No
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 14 nF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT Trench Field Stop
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 5 mA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 200 A
конфигурация Single
Базовый номер продукта FD200R12

Рекомендуемые продукты

FD200R12KE3PHOSA1 DataSheet PDF