Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > F445MR12W1M1B76BPSA1
Infineon Technologies

F445MR12W1M1B76BPSA1

Номер детали производителя F445MR12W1M1B76BPSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET MODULE
Упаковка AG-EASY1B-2
В наличии 4162 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4162 Infineon Technologies F445MR12W1M1B76BPSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5.55V @ 10mA
Поставщик Упаковка устройства AG-EASY1B-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 25A, 15V
Мощность - Макс -
Упаковка / Module
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Chassis Mount
Свойства продукта Значение атрибута
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1.84nF @ 800V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 62nC @ 15V
Тип FET 4 N-Channel (Half Bridge)
FET Характеристика Silicon Carbide (SiC)
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 25A (Tj)

Рекомендуемые продукты

F445MR12W1M1B76BPSA1 DataSheet PDF

Ключевые слова для F445MR12W1M1B76BPSA1

Связанные детали для F445MR12W1M1B76BPSA1