Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > F411MR12W2M1B76BOMA1
Infineon Technologies

F411MR12W2M1B76BOMA1

Номер детали производителя F411MR12W2M1B76BOMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание LOW POWER EASY AG-EASY2B-2
Упаковка AG-EASY1B-2
В наличии 275 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1
$140.694
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 275 Infineon Technologies F411MR12W2M1B76BOMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5.55V @ 40mA
Поставщик Упаковка устройства AG-EASY1B-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.3mOhm @ 100A, 15V
Мощность - Макс -
Упаковка / Module
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Chassis Mount
Свойства продукта Значение атрибута
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 7.36nF @ 800V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 248nC @ 15V
Тип FET 4 N-Channel (Half Bridge)
FET Характеристика Silicon Carbide (SiC)
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 100A (Tj)

Рекомендуемые продукты

F411MR12W2M1B76BOMA1 DataSheet PDF