Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > F3L25R12W1T4B27BOMA1
Infineon Technologies

F3L25R12W1T4B27BOMA1

Номер детали производителя F3L25R12W1T4B27BOMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MODULE IGBT 1200V EASY1B-2
Упаковка AG-EASY1B
В наличии 3407 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Wafer Site Add 1/Sep/2022
Справочная цена (В долларах США)
1 24 96 240
$13.72 $12.263 $11.113 $10.73
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 3407 Infineon Technologies F3L25R12W1T4B27BOMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.25V @ 15V, 25A
Поставщик Упаковка устройства AG-EASY1B
Серии -
Мощность - Макс 215 W
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC термистора Yes
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 1.45 nF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT -
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 1 mA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 45 A
конфигурация Half Bridge
Базовый номер продукта F3L25R12

Рекомендуемые продукты

F3L25R12W1T4B27BOMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для F3L25R12W1T4B27BOMA1

Связанные детали для F3L25R12W1T4B27BOMA1