Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > DF150R12RT4HOSA1
Infineon Technologies

DF150R12RT4HOSA1

Номер детали производителя DF150R12RT4HOSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание IGBT MOD 1200V 150A 790W
Упаковка Module
В наличии 1820 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Wafer Chgs 3/Dec/2021
Справочная цена (В долларах США)
1 10 30 80
$27.831 $26.44 $25.744 $23.831
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 1820 Infineon Technologies DF150R12RT4HOSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.15V @ 15V, 150A
Поставщик Упаковка устройства Module
Серии -
Мощность - Макс 790 W
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C
NTC термистора No
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 9.3 nF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT Trench Field Stop
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 1 mA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 150 A
конфигурация Single Chopper
Базовый номер продукта DF150R12

Рекомендуемые продукты

DF150R12RT4HOSA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация