Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > DF120R12W2H3B27BOMA1
Infineon Technologies

DF120R12W2H3B27BOMA1

Номер детали производителя DF120R12W2H3B27BOMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание IGBT MOD 1200V 50A 180W
Упаковка Module
В наличии 1662 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Source Add 2/Oct/2018
Справочная цена (В долларах США)
1 15
$29.176 $27.75
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 1662 Infineon Technologies DF120R12W2H3B27BOMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Поставщик Упаковка устройства Module
Серии -
Мощность - Макс 180 W
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C
NTC термистора Yes
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 2.35 nF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT -
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 1 mA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 50 A
конфигурация Three Phase Inverter
Базовый номер продукта DF120R12

Рекомендуемые продукты

DF120R12W2H3B27BOMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация