Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > DF11MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies

DF11MR12W1M1B11BOMA1

Номер детали производителя DF11MR12W1M1B11BOMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET MODULE 1200V 50A
Упаковка AG-EASY1BM-2
В наличии 4793 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Datasheet Rev 28/Aug/2018Mult Dev EOL 23/Jan/2019DF11MR12W1M1_B11
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4793 Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BOMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5.5V @ 20mA
Технологии Silicon Carbide (SiC)
Поставщик Упаковка устройства AG-EASY1BM-2
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 50A, 15V
Мощность - Макс 20mW
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3950pF @ 800V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 125nC @ 5V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 50A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта DF11MR12

Рекомендуемые продукты

DF11MR12W1M1B11BOMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для DF11MR12W1M1B11BOMA1

Связанные детали для DF11MR12W1M1B11BOMA1