Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > DF1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies

DF1000R17IE4DB2BOSA1

Номер детали производителя DF1000R17IE4DB2BOSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание IGBT MODULE 1700V 6250W
Упаковка Module
В наличии 118 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Source Add 10/Sep/2018
Справочная цена (В долларах США)
2
$282.514
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 118 Infineon Technologies DF1000R17IE4DB2BOSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1700 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.45V @ 15V, 1000A
Поставщик Упаковка устройства Module
Серии PrimePACK™3
Мощность - Макс 6250 W
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C
Свойства продукта Значение атрибута
NTC термистора Yes
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 81 nF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT -
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 5 mA
конфигурация Single
Базовый номер продукта DF1000

Рекомендуемые продукты

DF1000R17IE4DB2BOSA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация