Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BUZ111S
Infineon Technologies

BUZ111S

Номер детали производителя BUZ111S
производитель Infineon Technologies
Подробное описание N-CHANNEL POWER MOSFET
Упаковка PG-TO220-3-1
В наличии 117481 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
352
$0.337
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 117481 Infineon Technologies BUZ111S в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 240µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO220-3-1
Серии SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 80A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 300W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4500 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 185 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 55 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 80A (Tc)

Рекомендуемые продукты

BUZ111S DataSheet PDF

Ключевые слова для BUZ111S

Связанные детали для BUZ111S