Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BTS282ZE3180AATMA1
Infineon Technologies

BTS282ZE3180AATMA1

Номер детали производителя BTS282ZE3180AATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание N-CHANNEL POWER MOSFET
Упаковка PG-TO263-7-1
В наличии 4640 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4640 Infineon Technologies BTS282ZE3180AATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 240µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO263-7-1
Серии TEMPFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 300W (Tc)
Упаковка / TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4800 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 232 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 49 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 80A (Tc)

Рекомендуемые продукты

BTS282ZE3180AATMA1 DataSheet PDF