Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BTS115AE6327
Infineon Technologies

BTS115AE6327

Номер детали производителя BTS115AE6327
производитель Infineon Technologies
Подробное описание N-CHANNEL POWER MOSFET
Упаковка PG-TO220-3-1
В наличии 4219 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4219 Infineon Technologies BTS115AE6327 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Vgs (макс.) ±10V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO220-3-1
Серии TEMPFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 7.8A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 50W
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 735 pF @ 25 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 50 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 15.5A (Tc)

Рекомендуемые продукты

BTS115AE6327 DataSheet PDF

Ключевые слова для BTS115AE6327

Связанные детали для BTS115AE6327