Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSS192PE6327T
BSS192PE6327T Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

BSS192PE6327T

Номер детали производителя BSS192PE6327T
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Упаковка PG-SOT89
В наличии 5699 pcs
Техническая спецификация Part Number Guide
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5699 Infineon Technologies BSS192PE6327T в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 130µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-SOT89
Серии SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12Ohm @ 190mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1W (Ta)
Упаковка / TO-243AA
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 104 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 6.1 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 250 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 190mA (Ta)

Рекомендуемые продукты

BSS192PE6327T DataSheet PDF

Техническая спецификация