Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSP603S2LNT
Infineon Technologies

BSP603S2LNT

Номер детали производителя BSP603S2LNT
производитель Infineon Technologies
Подробное описание N-CHANNEL POWER MOSFET
Упаковка PG-SOT223-4-21
В наличии 400355 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1039
$0.111
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 400355 Infineon Technologies BSP603S2LNT в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 50µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-SOT223-4-21
Серии OptiMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 2.6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.8W (Ta)
Упаковка / TO-261-4, TO-261AA
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1390 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 55 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5.2A (Ta)

Рекомендуемые продукты

BSP603S2LNT DataSheet PDF

Ключевые слова для BSP603S2LNT

Связанные детали для BSP603S2LNT