Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSP373E6327
Infineon Technologies

BSP373E6327

Номер детали производителя BSP373E6327
производитель Infineon Technologies
Подробное описание N-CHANNEL POWER MOSFET
Упаковка PG-SOT223-4
В наличии 5203 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5203 Infineon Technologies BSP373E6327 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-SOT223-4
Серии SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.7A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.8W (Ta)
Упаковка / TO-261-4, TO-261AA
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 550 pF @ 25 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.7A (Ta)

Рекомендуемые продукты

BSP373E6327 DataSheet PDF

Ключевые слова для BSP373E6327

Связанные детали для BSP373E6327