Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

BSP315P-E6327

Номер детали производителя	BSP315P-E6327
производитель	Infineon Technologies
Подробное описание	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Упаковка	PG-SOT223-4
В наличии	5566 pcs
Техническая спецификация	BSP315P Part Number Guide Multiple Devices 28/Mar/2008

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5566 Infineon Technologies BSP315P-E6327 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	2V @ 160µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	PG-SOT223-4
Серии	SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800mOhm @ 1.17A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	1.8W (Ta)
Упаковка /	TO-261-4, TO-261AA
Упаковка	Tape & Reel (TR)

Свойства продукта	Значение атрибута
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	160 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	7.8 nC @ 10 V
Тип FET	P-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	1.17A (Ta)