Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

BSP295L6327HTSA1

Номер детали производителя	BSP295L6327HTSA1
производитель	Infineon Technologies
Подробное описание	MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Упаковка	PG-SOT223-4-21
В наличии	6698 pcs
Техническая спецификация	Part Number Guide

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6698 Infineon Technologies BSP295L6327HTSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	1.8V @ 400µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	PG-SOT223-4-21
Серии	SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 1.8A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	1.8W (Ta)
Упаковка /	TO-261-4, TO-261AA
Упаковка	Tape & Reel (TR)

Свойства продукта	Значение атрибута
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	368 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	1.8A (Ta)