Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSO080P03NS3 G
Infineon Technologies

BSO080P03NS3 G

Номер детали производителя BSO080P03NS3 G
производитель Infineon Technologies
Подробное описание P-CHANNEL POWER MOSFET
Упаковка PG-DSO-8
В наличии 5150 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5150 Infineon Technologies BSO080P03NS3 G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.1V @ 150µA
Vgs (макс.) ±25V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-DSO-8
Серии OptiMOS™ 3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 14.8A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.6W (Ta)
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 6750 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 81 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12A (Ta)

Рекомендуемые продукты

BSO080P03NS3 G DataSheet PDF

Ключевые слова для BSO080P03NS3 G

Связанные детали для BSO080P03NS3 G