BSG0810NDIATMA1

Номер детали производителя	BSG0810NDIATMA1
производитель	Infineon Technologies
Подробное описание	MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
Упаковка	PG-TISON-8
В наличии	85106 pcs
Техническая спецификация	Part Number Guide Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019 Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018 Wafer Diameter Add 7/Apr/2017

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000	2000
$1.152	$1.034	$0.831	$0.683	$0.566	$0.527

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 85106 Infineon Technologies BSG0810NDIATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	PG-TISON-8
Серии	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3mOhm @ 20A, 10V
Мощность - Макс	2.5W
Упаковка /	8-PowerTDFN
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 155°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	1040pF @ 12V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	8.4nC @ 4.5V
FET Характеристика	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Слить к источнику напряжения (VDSS)	25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	19A, 39A
конфигурация	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Базовый номер продукта	BSG0810