Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > BSC072N03LDGATMA1
Infineon Technologies

BSC072N03LDGATMA1

Номер детали производителя BSC072N03LDGATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Упаковка PG-TDSON-8-4
В наличии 5322 pcs
Техническая спецификация BSC072N03LD GPart Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Devices EOL 08/May/2019
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5322 Infineon Technologies BSC072N03LDGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TDSON-8-4
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 20A, 10V
Мощность - Макс 57W
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3500pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 41nC @ 10V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11.5A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта BSC072N03

Рекомендуемые продукты

BSC072N03LDGATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для BSC072N03LDGATMA1

Связанные детали для BSC072N03LDGATMA1