Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSC029N025SG
Infineon Technologies

BSC029N025SG

Номер детали производителя BSC029N025SG
производитель Infineon Technologies
Подробное описание N-CHANNEL POWER MOSFET
Упаковка PG-TDSON-8-1
В наличии 148645 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
371
$0.319
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 148645 Infineon Technologies BSC029N025SG в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 80µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TDSON-8-1
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5090 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 41 nC @ 5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 25 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 24A (Ta), 100A (Tc)

Рекомендуемые продукты

BSC029N025SG DataSheet PDF

Ключевые слова для BSC029N025SG

Связанные детали для BSC029N025SG