BSC018NE2LSATMA1
| Номер детали производителя | BSC018NE2LSATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON |
| Упаковка | PG-TDSON-8-1 |
| В наличии | 156793 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.582 | $0.52 | $0.405 | $0.335 | $0.264 | $0.247 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 156793 Infineon Technologies BSC018NE2LSATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TDSON-8-1 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 30A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Упаковка / | 8-PowerTDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2800 pF @ 12 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 25 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 29A (Ta), 100A (Tc) |
| Базовый номер продукта | BSC018 |
Рекомендуемые продукты
-
BSC019N04NSG
BSC019N04 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSC016N06NSSCATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8Infineon Technologies -
BSC016N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC017N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC019N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FLInfineon Technologies -
BSC016N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC019N02KSGAUMA1
MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC019N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC019N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8Infineon Technologies -
BSC016N03LSG
BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSC019N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC018NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC020N025S G
MOSFET N-CH 25V 30A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC016N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC019N04LSTATMA1
MOSFET N-CH 40VInfineon Technologies -
BSC016N03MSG
BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSC018N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC016N06NSTATMA1
MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC020N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC016N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSONInfineon Technologies