BSC009NE2LSATMA1
| Номер детали производителя | BSC009NE2LSATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON |
| Упаковка | PG-TDSON-8-7 |
| В наличии | 112382 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.749 | $0.672 | $0.54 | $0.444 | $0.368 | $0.343 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 112382 Infineon Technologies BSC009NE2LSATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TDSON-8-7 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.9mOhm @ 30A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) |
| Упаковка / | 8-PowerTDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 5800 pF @ 12 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 126 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 25 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 41A (Ta), 100A (Tc) |
| Базовый номер продукта | BSC009 |
Рекомендуемые продукты
-
BSC005N03LS5IATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
BSC010N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC010N04LSIATMA1
MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC 80 HTG 2TT50
THERMAL INTERFACE 250MM X 300MMAISMALIBAR -
BSC010NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC010N04LSCATMA1
MOSFET N-CH 40V 282AInfineon Technologies -
BSC011N03LSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC007N04LS6SCATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
BSC010N04LSTATMA1
MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC004NE2LS5ATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
BSC009NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC005N03LS5ATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
BSC011N03LSTATMA1
MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC011N03LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC009N04LSSCATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
BSC 80 HTG 2GF50
THERMAL INTERFACE 250MM X 300MMAISMALIBAR -
BSC009NE2LS5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC010N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC010NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC007N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6Infineon Technologies