Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSB012NE2LXIXUMA1
Infineon Technologies

BSB012NE2LXIXUMA1

Номер детали производителя BSB012NE2LXIXUMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 25V 170A 2WDSON
Упаковка MG-WDSON-2, CanPAK M™
В наличии 4318 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev EOL 5/Jan/2022BSB012NE2LXI DataSheet Update 18/Sep/2015
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4318 Infineon Technologies BSB012NE2LXIXUMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства MG-WDSON-2, CanPAK M™
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Упаковка / 3-WDSON
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5852 pF @ 12 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 82 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 25 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 170A (Tc)
Базовый номер продукта BSB012

Рекомендуемые продукты

BSB012NE2LXIXUMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация