Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > BCR198TE6327
Infineon Technologies

BCR198TE6327

Номер детали производителя BCR198TE6327
производитель Infineon Technologies
Подробное описание BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Упаковка PG-SOT23-3-3
В наличии 5605034 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
15000
$0.007
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5605034 Infineon Technologies BCR198TE6327 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Тип транзистор PNP - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства PG-SOT23-3-3
Серии Automotive, AEC-Q101
Резистор - основание эмиттера (R2) 47 kOhms
Резистор - основание (R1) 47 kOhms
Мощность - Макс 200 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Упаковка Bulk
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 190 MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
Базовый номер продукта BCR198

Рекомендуемые продукты

BCR198TE6327 DataSheet PDF

Ключевые слова для BCR198TE6327

Связанные детали для BCR198TE6327