Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > AUIRF7379Q
AUIRF7379Q Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

AUIRF7379Q

Номер детали производителя AUIRF7379Q
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Упаковка 8-SOIC
В наличии 6727 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMultiple Devices 04/Apr/2014
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6727 Infineon Technologies AUIRF7379Q в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOIC
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5.8A, 10V
Мощность - Макс 2.5W
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 520pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5.8A, 4.3A
конфигурация N and P-Channel
Базовый номер продукта AUIRF7379

Рекомендуемые продукты

AUIRF7379Q DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для AUIRF7379Q

Связанные детали для AUIRF7379Q