1IRF3710PBF
| Номер детали производителя | 1IRF3710PBF |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | IRF3710 - 100V HEXFET N-CHANNEL |
| Упаковка | TO-220 |
| В наличии | 6867 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6867 Infineon Technologies 1IRF3710PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-220 |
| Серии | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 28A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 200W (Tc) |
| Упаковка / | TO-220-3 |
| Упаковка | Bulk |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3130 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 57A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
MCH3377-TL-H
MOSFET P-CH 3A 20V MCPH3onsemi -
IXTH3N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 3A TO247IXYS -
IXFK21N100Q
MOSFET N-CH 1000V 21A TO264AAIXYS -
FDZ193P
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSPFairchild Semiconductor -
DMG3415UFY4Q-7-52
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015-Diodes Incorporated -
APTM100UM65SAG
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6Microchip Technology -
IRFD220PBF
MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIPVishay Siliconix -
BSC0504NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSONInfineon Technologies -
IRFAF20
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETInternational Rectifier -
STP48N30M8
MOSFET N-CH 300V TO220STMicroelectronics -
R6504END3TL1
650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWERRohm Semiconductor -
BUZ30AH
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3Infineon Technologies -
APT15F50K
MOSFET N-CH 500V 15A TO220Microsemi Corporation -
FDC640P_F095
MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6onsemi -
PJA3416_R1_00001
SOT-23, MOSFETPanjit International Inc. -
NTD50N03R-1G
MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A IPAKonsemi -
FQPF5N50CFTU
MOSFET N-CH 500V 5A TO220Fonsemi -
IRFR9014TRLPBF
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAKVishay Siliconix -
TK560A60Y,S4X
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SISToshiba Semiconductor and Storage -
IPDQ60R055CFD7XTMA1
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22Infineon Technologies