RFD12N06RLESM9A
Номер детали производителя | RFD12N06RLESM9A |
---|---|
производитель | onsemi |
Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA |
Упаковка | TO-252AA |
В наличии | 195956 pcs |
Техническая спецификация | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Description Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHSAssembly Change 28/May/2023RFD12N06RLESM |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.452 | $0.403 | $0.314 | $0.26 | $0.205 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 195956 onsemi RFD12N06RLESM9A в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±16V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-252AA |
Серии | UltraFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 18A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 49W (Tc) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 485 pF @ 25 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 18A (Tc) |
Базовый номер продукта | RFD12N06 |
Рекомендуемые продукты
-
RFD14N05L_NL
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
RFD-43MSC-H1
4.3/10 Male; Low PIMRF Industries -
RFD-43MRA-SR2
4.3/10 Male R/A; Low PIMRF Industries -
RFD12N06RLE
MOSFET N-CH 60V 18A IPAKonsemi -
RFD14N05LSM9A
MOSFET N-CH 50V 14A TO252AAonsemi -
RFD14N05L
MOSFET N-CH 50V 14A I-PAKonsemi -
RFD12N06RLESM9A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
RFD14N05LSM
MOSFET N-CH 50V 14A TO252AAonsemi -
RFD10P03LSM
MOSFET P-CH 30V 10A TO252-3onsemi -
RFD-43MRA-HPL
4.3/10 Male; R/A; Low PIMRF Industries -
RFD14N05LSM9A
MOSFET N-CH 50V 14A TO252AAHarris Corporation -
RFD-43MS-SR2
4.3/10 Male; Low PIMRF Industries -
RFD14N05
MOSFET N-CH 50V 14A IPAKFairchild Semiconductor -
RFD14LN05SM
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
RFD-43MS-X
4.3/10 MALE CRIMP; 50 OHMSRF Industries -
RFD-43MS-HPL
4.3/10 Male; Low PIMRF Industries -
RFD0603P-50R0-D-T10
HIGH FREQUENCY CHIP RESISTORS 02Susumu -
RFD14N05L
MOSFET N-CH 50V 14A IPAKHarris Corporation -
RFD10N05SM
10A, 50V, N-CHANNEL,Harris Corporation -
RFD14N05
MOSFET N-CH 50V 14A I-PAKonsemi