Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > NVMSD6N303R2G
NVMSD6N303R2G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NVMSD6N303R2G

Номер детали производителя NVMSD6N303R2G
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
Упаковка 8-SOIC
В наличии 4729 pcs
Техническая спецификация Multiple Devices 20/Jan/2015onsemi REACHonsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 4729 onsemi NVMSD6N303R2G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOIC
Серии Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) -
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 950 pF @ 24 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика Schottky Diode (Isolated)
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 6A (Ta)
Базовый номер продукта NVMSD6

Рекомендуемые продукты

NVMSD6N303R2G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NVMSD6N303R2G

Связанные детали для NVMSD6N303R2G