Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NVMD6P02R2G

Номер детали производителя	NVMD6P02R2G
производитель	onsemi
Подробное описание	MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Упаковка	8-SOIC
В наличии	4866 pcs
Техническая спецификация	Mult Dev EOL 01/Oct/2021 onsemi RoHS

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 4866 onsemi NVMD6P02R2G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	8-SOIC
Серии	Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Мощность - Макс	750mW
Упаковка /	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	1700pF @ 16V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	35nC @ 4.5V
FET Характеристика	Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS)	20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	4.8A
конфигурация	2 P-Channel (Dual)
Базовый номер продукта	NVMD6